El Govern ha dado luz verde este martes a la firma del convenio entre la Generalitat y la Administración General del Estado para ejecutar el proyecto Innofab, el primer centro catalán de investigación y desarrollo de chips basados en semiconductores avanzados.

El president de la Generalitat de Catalunya, Salvador Illa, ha mantingut aquest matí una reunió al Palau de la Moncloa amb el president del Govern d’Espanya, Pedro Sánchez, en el […]

Cataluña se encuentra un paso más cerca de acoger su primer centro de investigación y desarrollo de semiconductores avanzados tras haber aprobado en la reunión del Consell Executiu de este martes la firma del convenio entre la Generalitat y el Gobierno para impulsar y ejecutar el proyecto Innofab. Una infraestructura especializada en la alta tecnología y el prototipado de chips que estará localizada en el Parque del Alba de Cerdanyola del Vallès (Barcelona) y que contará con una inversión de 398 millones de euros. Estos recursos estarán cofinanciados por el Govern, que aportará 193 millones de euros; por el Estado, que destinará 60 millones; y por un préstamo complementario de 160 millones. Con el convenio firmado se pretende establecer el marco de cooperación entre la administración estatal y la autonómica para la puesta en marcha del proyecto, el cual se ejecutará a través de la Fundación Innofab, una entidad sin ánimo de lucro adscrita al sector público de la Generalitat. En cuanto a la construcción y dotación de los edificios que harán de sede del centro, esta contará con la contribución de la Sociedad Española para la Transformación Tecnológica (SETT) del Ministerio para la Transformación Digital y de Función Pública. Un centro con tres edificios y una superficie de 21.900 metros cuadrados En concreto, el centro Innofab estará formado por tres edificios que sumarán un total de 21.900 metros cuadrados: uno de 10.600 metros cuadrados distribuidos en cuatro plantas, otro de oficinas y laboratorios de 7.300 metros cuadrados y un tercero de 4.000 metros cuadrados que funcionará como auxiliar de servicios. Asimismo, contará con una sala blanca con una superficie de más de 2.000 metros cuadrados en la que se podrán escalar procesos de fabricación de chips al ámbito industrial. El primer paso de la construcción de los equipamientos del Innofab corresponde al grupo IDP, al que el Ejecutivo catalán adjudicó la redacción del proyecto de ingeniería básica para su edificación por 2,6 millones de euros el pasado mes de diciembre. Este deberá presentarse en abril para que, entonces, se pueda elaborar tanto la propuesta de ejecución de las obras como el proyecto constructivo, el cual se adjudicará este mismo año. "Una infraestructura en conexión con el Sincrotrón ALBA" En la rueda de prensa posterior a la reunión del Consell Executiu, la consellera de Territorio y portavoz del Govern, Sílvia Paneque, ha señalado que el proyecto Innofab se trata de "una nueva infraestructura de conocimiento que se establece en conexión con el Sincrotrón ALBA". De esta manera, el nuevo centro contará con la colaboración de una de las principales instalaciones científicas de Cataluña y se encuentra en el mismo parque. Asimismo, Paneque ha explicado que el convenio tiene una vigencia de cuatro años con posibilidad de prórroga de otros cuatro e incluye la creación de una comisión de seguimiento formada por representantes tanto del Gobierno como de la Generalitat para garantizar su correcto funcionamiento. La presidencia de dicho órgano recaerá en uno de los representantes del Govern. Un proyecto para...

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