Micron's DRAM and NAND roadmap: 1δ DRAM volume production in late 2027, 3D DRAM development, 400-layer G11 NAND, and custom HBM for AI accelerators.

6日夜から冬型の気圧配置が強まるため、県の沿岸では西寄りの風が強まる見込みです。7日の明け方から夜のはじめ頃にかけて暴風に警戒してください。北日本では、6日夜から7日にかけて西高東低の冬型の気圧配置

Micron beralih ke teknologi wafer bonding dan High-NA EUV untuk memacu produksi massal memori sub-10nm serta solusi AI bandwidth tinggi.

Micron rejects 4F2, intends to use wafer bonding and High-NA EUV before going 3D NAND over the next few years.

大相撲の冬巡業が今年12月19日・20日にうるま市の “闘牛場” で開かれるのを前に、元小結・旭豊の立浪親方と、第72代横綱・稀勢の里の二所ノ関親方が市役所を訪れ、大相撲の魅力をPRしました。【写真

Micron resmi menyetop riset DRAM 4F2 demi fokus pada teknologi 1-delta dan 3D DRAM yang dinilai lebih efisien untuk masa depan memori.

Micron has stopped considering 4F² a promising direction for DRAM development. After approximately 20 years of research, the company concluded that this architecture does not provide a significant increase in memory density, complicates manufacturing, raises costs, and has fundamental scaling limitations. 4F² memory cells have long been considered one of the most promising technologies in […] Post Micron Abandons 4F² DRAM After 20 Years of Research: The Company Explained Why at Root-Nation.com.

CXMT announces its 4F2 DRAM architecture with vertical transistors, targeting server DDR5 RDIMMs by the end of the year.

Arathy Somasekhar[ヒューストン １６日 ロイター] - 米国‌時間の原油先⁠物は大幅高となり、北海ブレン​トが一時１バレル＝１１０ドルと５月以来の‌高値を付けた。中東情勢の‌緊迫化

A fabricante chinesa CXMT prepara-se para lançar módulos de memória DDR5 para servidores com arquitetura 4F2 antes do final de 2026. O avanço tecnológico promete aumentar a densidade de armazenamento e já provocou quedas acentuadas nas ações das principais rivais do setor, segundo avança o SFCCN.

China's ChangXin Memory Technologies (CXMT) plans to mass-produce next-generation 4F² DRAM by the end of 2026, potentially ahead of South Korean rivals Samsung Electronics and SK Hynix. The announcement has fuelled speculation that China's memory technology is approaching or surpassing South Korean capabilities, while positioning CXMT for an early entry into the emerging 3D DRAM market.

Una celda de memoria más pequeña y un plazo ambicioso ChangXin Memory Technologies (CXMT), el mayor fabricante chino de chips de memoria, planea introducir memoria DDR5 registrada para servidores con arquitectura DRAM 4F2 antes de finales de 2026. Su presidente,…

中国に拠点を置くメモリメーカーのCXMTが、既存のセル面積を理論上約3分の1削減する新しいアーキテクチャ「4F²」を用いた次世代メモリモジュールを2026年内に発売する予定だと明かしました。

El mercado de la memoria tiene un nuevo motivo para ponerse nervioso, y esta vez llega desde China. Según lo publicado hace tres días, y ahora extendido en su complejidad, CXMT quiere lanzar antes de terminar 2026 una DDR5 para servidores con arquitectura 4F2, un cambio que permitiría almacenar más información en menos superficie. Lo La entrada CXMT sacude a Samsung, SK hynix y Micron con su DRAM 4F² y desata el pánico en bolsa: ¿está China realmente por delante en memoria? aparece primero en El Chapuzas Informático.

中国に拠点を置くメモリメーカーのCXMTが、既存のセル面積を理論上約3分の1削減する新しいアーキテクチャ「4F²」を用いた次世代メモリモジュールを2026年内に発売する予定だと明かしました。