ロームが開発した第5世代SiC MOSFETの革新技術とは#京都府#京都市#ローム株式会社#SiC_MOSFET#EcoSiC
ローム株式会社が開発した第5世代SiC MOSFETは、高温時のオン抵抗を約30%削減しました。電動車やAIサーバー向けの電源に最適です。
ローム株式会社が開発した第5世代SiC MOSFETは、高温時のオン抵抗を約30%削減しました。電動車やAIサーバー向けの電源に最適です。
ロームが開発した第5世代SiC MOSFETの革新技術とは
ローム株式会社が開発した第5世代SiC MOSFETは、高温時のオン抵抗を約30%削減しました。電動車やAIサーバー向けの電源に最適です。
news.3rd-in.co.jp
April 21, 2026 at 12:18 AM
ロームが開発した第5世代SiC MOSFETの革新技術とは#京都府#京都市#ローム株式会社#SiC_MOSFET#EcoSiC
ローム株式会社が開発した第5世代SiC MOSFETは、高温時のオン抵抗を約30%削減しました。電動車やAIサーバー向けの電源に最適です。
ローム株式会社が開発した第5世代SiC MOSFETは、高温時のオン抵抗を約30%削減しました。電動車やAIサーバー向けの電源に最適です。
ローム、グリーンイノベーション基金事業で技術目標を2年前倒し達成#ローム#グリーンイノベーション#SiC_MOSFET
ロームがグリーンイノベーション基金事業で重要な技術目標を2年早く達成。次世代SiC MOSFETの開発を通じて、エネルギー効率の向上とコスト削減を実現しました。
ロームがグリーンイノベーション基金事業で重要な技術目標を2年早く達成。次世代SiC MOSFETの開発を通じて、エネルギー効率の向上とコスト削減を実現しました。
ローム、グリーンイノベーション基金事業で技術目標を2年前倒し達成
ロームがグリーンイノベーション基金事業で重要な技術目標を2年早く達成。次世代SiC MOSFETの開発を通じて、エネルギー効率の向上とコスト削減を実現しました。
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April 2, 2026 at 2:31 AM
ローム、グリーンイノベーション基金事業で技術目標を2年前倒し達成#ローム#グリーンイノベーション#SiC_MOSFET
ロームがグリーンイノベーション基金事業で重要な技術目標を2年早く達成。次世代SiC MOSFETの開発を通じて、エネルギー効率の向上とコスト削減を実現しました。
ロームがグリーンイノベーション基金事業で重要な技術目標を2年早く達成。次世代SiC MOSFETの開発を通じて、エネルギー効率の向上とコスト削減を実現しました。
株式会社三社電機製作所が新開発した1700V耐圧SiC MOSFETの魅力とは？#大阪府#大阪市#パワー半導体#SiC_MOSFET#株式会社三社電機製作所
三社電機製作所が開発した1700V耐圧SiC MOSFETは、低損失かつ高速動作を実現。様々な用途に対応し、エネルギー効率を向上させる新技術を紹介します。
三社電機製作所が開発した1700V耐圧SiC MOSFETは、低損失かつ高速動作を実現。様々な用途に対応し、エネルギー効率を向上させる新技術を紹介します。
株式会社三社電機製作所が新開発した1700V耐圧SiC MOSFETの魅力とは？
三社電機製作所が開発した1700V耐圧SiC MOSFETは、低損失かつ高速動作を実現。様々な用途に対応し、エネルギー効率を向上させる新技術を紹介します。
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May 13, 2025 at 6:54 AM
株式会社三社電機製作所が新開発した1700V耐圧SiC MOSFETの魅力とは？#大阪府#大阪市#パワー半導体#SiC_MOSFET#株式会社三社電機製作所
三社電機製作所が開発した1700V耐圧SiC MOSFETは、低損失かつ高速動作を実現。様々な用途に対応し、エネルギー効率を向上させる新技術を紹介します。
三社電機製作所が開発した1700V耐圧SiC MOSFETは、低損失かつ高速動作を実現。様々な用途に対応し、エネルギー効率を向上させる新技術を紹介します。
DB HiTek Achieves Major Milestone in 8-Inch SiC MOSFET Reliability Qualification#South_Korea#Seoul#Semiconductor#SiC_MOSFET#DB_HiTek
DB HiTek Achieves Major Milestone in 8-Inch SiC MOSFET Reliability Qualification
DB HiTek successfully completed the reliability qualification for its 8-inch SiC MOSFET process, propelling the company into the next-gen semiconductor market.
third-news.com
September 9, 2026 at 1:20 PM
DB HiTek Achieves Major Milestone in 8-Inch SiC MOSFET Reliability Qualification#South_Korea#Seoul#Semiconductor#SiC_MOSFET#DB_HiTek
DB HiTek Achieves Reliability Qualification for 1200V SiC MOSFET Process#South_Korea#Seoul#Semiconductor#SiC_MOSFET#DB_HiTek
DB HiTek Achieves Reliability Qualification for 1200V SiC MOSFET Process
DB HiTek has successfully completed the reliability qualification for its 1200V SiC MOSFET process, paving the way for advancements in semiconductor technology. Explore the implications.
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September 9, 2026 at 8:08 AM
DB HiTek Achieves Reliability Qualification for 1200V SiC MOSFET Process#South_Korea#Seoul#Semiconductor#SiC_MOSFET#DB_HiTek
DB HiTek Completes Reliability Qualification for 1200V SiC MOSFET Technology#South_Korea#Seoul#SiC_MOSFET#DB_HiTek #1200V_Technology
DB HiTek Completes Reliability Qualification for 1200V SiC MOSFET Technology
DB HiTek has successfully completed the reliability qualification for its new 1200V SiC MOSFET process, enhancing production efficiency and targeting series production in 2027.
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September 9, 2026 at 8:08 AM
DB HiTek Completes Reliability Qualification for 1200V SiC MOSFET Technology#South_Korea#Seoul#SiC_MOSFET#DB_HiTek #1200V_Technology
DB HiTek Achieves Reliability Qualification for 8-Inch SiC MOSFET Manufacturing Process#South_Korea#Seoul#Semiconductor#SiC_MOSFET#DB_HiTek
DB HiTek Achieves Reliability Qualification for 8-Inch SiC MOSFET Manufacturing Process
DB HiTek has successfully completed the reliability qualification of its 8-inch 1200V SiC MOSFET manufacturing process, marking a major advancement in semiconductor technology.
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September 9, 2026 at 8:07 AM
DB HiTek Achieves Reliability Qualification for 8-Inch SiC MOSFET Manufacturing Process#South_Korea#Seoul#Semiconductor#SiC_MOSFET#DB_HiTek
DB HiTek Achieves Reliability Qualification for 1200V SiC MOSFET Production Process#South_Korea#Seoul#Semiconductor#SiC_MOSFET#DB_HiTek
DB HiTek Achieves Reliability Qualification for 1200V SiC MOSFET Production Process
DB HiTek proudly announces the successful completion of reliability qualification for its 1200V SiC MOSFET production process, paving the way for new advancements in power semiconductors.
third-news.com
September 9, 2026 at 8:07 AM
DB HiTek Achieves Reliability Qualification for 1200V SiC MOSFET Production Process#South_Korea#Seoul#Semiconductor#SiC_MOSFET#DB_HiTek
DB HiTek Successfully Completes Reliability Testing for 1200V SiC MOSFET Production#South_Korea#Seoul#Semiconductor#SiC_MOSFET#DB_HiTek
DB HiTek Successfully Completes Reliability Testing for 1200V SiC MOSFET Production
DB HiTek has achieved a significant milestone by completing reliability testing for its innovative 1200V SiC MOSFET technology, marking a new era in semiconductor production.
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September 9, 2026 at 8:08 AM
DB HiTek Successfully Completes Reliability Testing for 1200V SiC MOSFET Production#South_Korea#Seoul#Semiconductor#SiC_MOSFET#DB_HiTek
DB HiTek Achieves Reliability Qualification for 1200V SiC MOSFET on 8-Inch Wafers#South_Korea#Seoul#SiC_MOSFET#DB_HiTek#Reliability_Qualification
DB HiTek Achieves Reliability Qualification for 1200V SiC MOSFET on 8-Inch Wafers
DB HiTek has successfully completed the reliability qualification of its 1200V SiC MOSFET manufacturing process, marking a key development in the semiconductor industry.
third-news.com
September 9, 2026 at 8:09 AM
DB HiTek Achieves Reliability Qualification for 1200V SiC MOSFET on 8-Inch Wafers#South_Korea#Seoul#SiC_MOSFET#DB_HiTek#Reliability_Qualification
DB HiTek Achieves Significant Milestone with 8-Inch 1,200V SiC MOSFET Process Qualification#South_Korea#Seoul#Semiconductor#SiC_MOSFET#DB_HiTek
DB HiTek Achieves Significant Milestone with 8-Inch 1,200V SiC MOSFET Process Qualification
DB HiTek, a leader in semiconductor manufacturing, has successfully completed reliability qualification for its 1,200 V SiC MOSFET process, paving the way for mass production by 2027.
third-news.com
September 9, 2026 at 8:11 AM
DB HiTek Achieves Significant Milestone with 8-Inch 1,200V SiC MOSFET Process Qualification#South_Korea#Seoul#Semiconductor#SiC_MOSFET#DB_HiTek
DB HiTek Advances Reliability Qualification for 1200V SiC MOSFET Process with 8-inch Wafers#South_Korea#Seoul#Semiconductor#SiC_MOSFET#DB_HiTek
DB HiTek Advances Reliability Qualification for 1200V SiC MOSFET Process with 8-inch Wafers
DB HiTek has successfully completed the reliability qualification of its 1,200 V SiC MOSFET process using 8-inch wafers, setting the stage for mass production in 2027.
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September 9, 2026 at 8:09 AM
DB HiTek Advances Reliability Qualification for 1200V SiC MOSFET Process with 8-inch Wafers#South_Korea#Seoul#Semiconductor#SiC_MOSFET#DB_HiTek
NoMIS Power Unveils Cutting-Edge 6.5 kV SiC MOSFET Technology for Future High-Voltage Applications#USA#Albany#NoMIS_Power#SiC_MOSFET#High-Voltage_Technology
NoMIS Power Unveils Cutting-Edge 6.5 kV SiC MOSFET Technology for Future High-Voltage Applications
NoMIS Power Corporation has launched its groundbreaking 6.5 kV SiC MOSFET technology, paving the way for advancements toward 10 kV and 20 kV IGBTs and high-voltage solutions.
third-news.com
August 6, 2026 at 12:56 PM
NoMIS Power Unveils Cutting-Edge 6.5 kV SiC MOSFET Technology for Future High-Voltage Applications#USA#Albany#NoMIS_Power#SiC_MOSFET#High-Voltage_Technology
STマイクロエレクトロニクスが新型ゲートドライバを発表、パワー設計を簡素化#東京都#港区#STマイクロエレクトロニクス#SiC_MOSFET#ゲートドライバ
STマイクロエレクトロニクスは新しい絶縁ゲートドライバ「STGAP3S」シリーズを発表。高効率・低コストを実現し、様々な用途に対応します。
STマイクロエレクトロニクスは新しい絶縁ゲートドライバ「STGAP3S」シリーズを発表。高効率・低コストを実現し、様々な用途に対応します。
STマイクロエレクトロニクスが新型ゲートドライバを発表、パワー設計を簡素化
STマイクロエレクトロニクスは新しい絶縁ゲートドライバ「STGAP3S」シリーズを発表。高効率・低コストを実現し、様々な用途に対応します。
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August 5, 2026 at 8:21 AM
STマイクロエレクトロニクスが新型ゲートドライバを発表、パワー設計を簡素化#東京都#港区#STマイクロエレクトロニクス#SiC_MOSFET#ゲートドライバ
STマイクロエレクトロニクスは新しい絶縁ゲートドライバ「STGAP3S」シリーズを発表。高効率・低コストを実現し、様々な用途に対応します。
STマイクロエレクトロニクスは新しい絶縁ゲートドライバ「STGAP3S」シリーズを発表。高効率・低コストを実現し、様々な用途に対応します。
ローム、次世代SiC MOSFETの最先端パッケージを発表！#ローム株式会社#SiC_MOSFET#技術革新
ロームが新開発したSiC MOSFETパッケージ、TSC3PAKは高効率化と高耐圧を誇ります。自動実装可能で、様々なアプリケーションに対応します。
ロームが新開発したSiC MOSFETパッケージ、TSC3PAKは高効率化と高耐圧を誇ります。自動実装可能で、様々なアプリケーションに対応します。
ローム、次世代SiC MOSFETの最先端パッケージを発表！
ロームが新開発したSiC MOSFETパッケージ、TSC3PAKは高効率化と高耐圧を誇ります。自動実装可能で、様々なアプリケーションに対応します。
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July 9, 2026 at 2:03 AM
ローム、次世代SiC MOSFETの最先端パッケージを発表！#ローム株式会社#SiC_MOSFET#技術革新
ロームが新開発したSiC MOSFETパッケージ、TSC3PAKは高効率化と高耐圧を誇ります。自動実装可能で、様々なアプリケーションに対応します。
ロームが新開発したSiC MOSFETパッケージ、TSC3PAKは高効率化と高耐圧を誇ります。自動実装可能で、様々なアプリケーションに対応します。
ロームが発表した新SiC MOSFETパッケージの革新性と特長#京都府#京都市#ローム株式会社#SiC_MOSFET#EcoSiC
ローム株式会社が開発した新しいSiC MOSFETパッケージは、自動実装可能で高放熱性を備えています。これは、電動車や産業機器の性能向上に寄与します。
ローム株式会社が開発した新しいSiC MOSFETパッケージは、自動実装可能で高放熱性を備えています。これは、電動車や産業機器の性能向上に寄与します。
ロームが発表した新SiC MOSFETパッケージの革新性と特長
ローム株式会社が開発した新しいSiC MOSFETパッケージは、自動実装可能で高放熱性を備えています。これは、電動車や産業機器の性能向上に寄与します。
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July 9, 2026 at 1:52 AM
ロームが発表した新SiC MOSFETパッケージの革新性と特長#京都府#京都市#ローム株式会社#SiC_MOSFET#EcoSiC
ローム株式会社が開発した新しいSiC MOSFETパッケージは、自動実装可能で高放熱性を備えています。これは、電動車や産業機器の性能向上に寄与します。
ローム株式会社が開発した新しいSiC MOSFETパッケージは、自動実装可能で高放熱性を備えています。これは、電動車や産業機器の性能向上に寄与します。
ROHM Unveils Innovative TSC3PAK Package for SiC MOSFETs Revolutionizing Power Conversion#Japan#ROHM#Kyoto#SiC_MOSFET#TSC3PAK
ROHM Unveils Innovative TSC3PAK Package for SiC MOSFETs Revolutionizing Power Conversion
ROHM's TSC3PAK package offers a revolutionary top-side cooling solution for SiC MOSFETs, enhancing heat dissipation and performance in electric vehicle applications.
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June 10, 2026 at 6:13 AM
ROHM Unveils Innovative TSC3PAK Package for SiC MOSFETs Revolutionizing Power Conversion#Japan#ROHM#Kyoto#SiC_MOSFET#TSC3PAK
ROHM's Innovative 750V SiC MOSFET Powers the Future of AI Server Systems#Japan#ROHM#Kyoto#AI_servers#SiC_MOSFET
ROHM's Innovative 750V SiC MOSFET Powers the Future of AI Server Systems
Discover how ROHM's advanced 750V SiC MOSFET is revolutionizing AI server power supplies, enabling efficient high-voltage operations in data centers.
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June 8, 2026 at 7:15 AM
ROHM's Innovative 750V SiC MOSFET Powers the Future of AI Server Systems#Japan#ROHM#Kyoto#AI_servers#SiC_MOSFET
SK keyfoundry Launches Innovative 450V-2300V SiC Planar MOSFET for Next-Generation Semiconductor Applications#South_Korea#Seoul#Semiconductor#SK_Keyfoundry#SiC_MOSFET
SK keyfoundry Launches Innovative 450V-2300V SiC Planar MOSFET for Next-Generation Semiconductor Applications
SK keyfoundry has developed a cutting-edge SiC Planar MOSFET platform, achieving remarkable voltage capabilities and securing a substantial order for 1200V MOSFET products.
third-news.com
March 11, 2026 at 11:18 AM
SK keyfoundry Launches Innovative 450V-2300V SiC Planar MOSFET for Next-Generation Semiconductor Applications#South_Korea#Seoul#Semiconductor#SK_Keyfoundry#SiC_MOSFET
NoMIS Power's Innovative 3.3 kV SiC MOSFET Expands Power Electronics Offerings#United_States#Albany#Power_Electronics#NoMIS_Power#SiC_MOSFET
NoMIS Power's Innovative 3.3 kV SiC MOSFET Expands Power Electronics Offerings
NoMIS Power Corporation launches its 3.3 kV SiC MOSFET, advancing efficiency and reliability in medium-voltage applications including energy storage and transportation.
third-news.com
September 8, 2025 at 2:11 PM
NoMIS Power's Innovative 3.3 kV SiC MOSFET Expands Power Electronics Offerings#United_States#Albany#Power_Electronics#NoMIS_Power#SiC_MOSFET
NoMIS Power Announces Major Breakthrough in SiC MOSFET Technology for Enhanced Power Electronics#United_States#Albany#Power_Electronics#NoMIS_Power#SiC_MOSFET
NoMIS Power Announces Major Breakthrough in SiC MOSFET Technology for Enhanced Power Electronics
NoMIS Power has revealed significant advancements in its SiC MOSFET technology, featuring reduced on-resistance and improved performance, facilitating easier integration into existing systems.
third-news.com
May 1, 2025 at 1:28 PM
NoMIS Power Announces Major Breakthrough in SiC MOSFET Technology for Enhanced Power Electronics#United_States#Albany#Power_Electronics#NoMIS_Power#SiC_MOSFET
NoMIS Power's Groundbreaking Advancements in SiC Technology Enhances Performance and Reliability#United_States#Albany#Power_Semiconductors#NoMIS_Power#SiC_MOSFET
NoMIS Power's Groundbreaking Advancements in SiC Technology Enhances Performance and Reliability
NoMIS Power has made significant strides in silicon carbide technology, boosting the short-circuit withstand time of SiC MOSFETs to 5 µs, a vital improvement for high-power applications.
third-news.com
March 14, 2025 at 12:37 PM
NoMIS Power's Groundbreaking Advancements in SiC Technology Enhances Performance and Reliability#United_States#Albany#Power_Semiconductors#NoMIS_Power#SiC_MOSFET
ロームのSiC MOSFETがAIサーバー電源での進化を支える#京都府#京都市#ローム#AIサーバー#SiC_MOSFET
ロームのSiC MOSFETがAIサーバー向けの電源設備に採用され、高効率なHVDCシステムへの移行をサポートしています。
ロームのSiC MOSFETがAIサーバー向けの電源設備に採用され、高効率なHVDCシステムへの移行をサポートしています。
ロームのSiC MOSFETがAIサーバー電源での進化を支える
ロームのSiC MOSFETがAIサーバー向けの電源設備に採用され、高効率なHVDCシステムへの移行をサポートしています。
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May 21, 2026 at 1:56 AM
ロームのSiC MOSFETがAIサーバー電源での進化を支える#京都府#京都市#ローム#AIサーバー#SiC_MOSFET
ロームのSiC MOSFETがAIサーバー向けの電源設備に採用され、高効率なHVDCシステムへの移行をサポートしています。
ロームのSiC MOSFETがAIサーバー向けの電源設備に採用され、高効率なHVDCシステムへの移行をサポートしています。
ロームが新しいSiC MOSFETを発表、小型化と大電力対応の両立を実現#京都府#京都市#ローム株式会社#SiC_MOSFET#EcoSiC
ローム株式会社が新SiC MOSFETの量産を開始！小型化と大電力対応を両立したTOLLパッケージで、効率的な電源設計をサポートします。
ローム株式会社が新SiC MOSFETの量産を開始！小型化と大電力対応を両立したTOLLパッケージで、効率的な電源設計をサポートします。
ロームが新しいSiC MOSFETを発表、小型化と大電力対応の両立を実現
ローム株式会社が新SiC MOSFETの量産を開始！小型化と大電力対応を両立したTOLLパッケージで、効率的な電源設計をサポートします。
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September 30, 2025 at 3:51 AM
ロームが新しいSiC MOSFETを発表、小型化と大電力対応の両立を実現#京都府#京都市#ローム株式会社#SiC_MOSFET#EcoSiC
ローム株式会社が新SiC MOSFETの量産を開始！小型化と大電力対応を両立したTOLLパッケージで、効率的な電源設計をサポートします。
ローム株式会社が新SiC MOSFETの量産を開始！小型化と大電力対応を両立したTOLLパッケージで、効率的な電源設計をサポートします。
ロームとシェフラーが電動車向けインバータブリックの量産に成功#京都府#京都市#ローム#シェフラー#SiC_MOSFET
ロームとシェフラーが新型高電圧インバータブリックの量産を開始しました。SiC MOSFET採用により、電気自動車向けの高性能部品として注目されています。
ロームとシェフラーが新型高電圧インバータブリックの量産を開始しました。SiC MOSFET採用により、電気自動車向けの高性能部品として注目されています。
ロームとシェフラーが電動車向けインバータブリックの量産に成功
ロームとシェフラーが新型高電圧インバータブリックの量産を開始しました。SiC MOSFET採用により、電気自動車向けの高性能部品として注目されています。
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September 11, 2025 at 12:30 AM
ロームとシェフラーが電動車向けインバータブリックの量産に成功#京都府#京都市#ローム#シェフラー#SiC_MOSFET
ロームとシェフラーが新型高電圧インバータブリックの量産を開始しました。SiC MOSFET採用により、電気自動車向けの高性能部品として注目されています。
ロームとシェフラーが新型高電圧インバータブリックの量産を開始しました。SiC MOSFET採用により、電気自動車向けの高性能部品として注目されています。